AOD4186中文资料
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- 大小：153.44KB
- 厂家：
- 描述：General Description Features (V GS = 10V) (V GS = 10V) (V GS = 4.5V) - RoHS Compliant 100% UIS Tested! - Halogen Free 100% R g Tested! Symbol V DS V GS I DM I AR E AR T J , T STG Symbol Typ Max 16.7 25 40 50 R θJC 2.5 3 I D = 50A R DS(ON) < 15m? T C =25°C 2.5 25 T C =100°C 24 70 Pulsed Drain Current C Continuous Drain Current G Junction and Storage Temperature Range -55 to 175 °C Thermal Characteristics Units Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s °C/W Parameter R θJA V V ±20 Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage 40 AOD4186 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Maximum Units Parameter Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted The AOD4186 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R DS(ON) . This device is ideal for low voltage inverter applications. R DS(ON) < 19m? V DS (V) =40V Repetitive avalanche energy L=0.1mH C mJ Avalanche Current C 8 Continuous Drain Current 29 10 A A T
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15 毫欧 @ 20A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.7V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1200pF @ 20V
- 功率 - 最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252
- 包装：带卷 (TR)
AOD4186供应商
更新时间:2022-12-31 08:37:44- 供应商
- 产品型号
- 服务标识
- 数量
- 厂商
- 封装/批号
- 说明
- 询价
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AOD4186
- 优势
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100000
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TO252/24+
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比1质量完美通用/包上机可供更多
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TO252/17+
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四雄微原装价优实在
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TO252/24+
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TO252/18+
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原装认证有意请来电或QQ洽谈
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TO252/21+
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只做原装，也只有原装
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深圳原装现货，可看货可提供拍照
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TO252/23+
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全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
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TO252/22+
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只做原装 价一赔亿 挂了就有货
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AOD4186
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TO252/24+
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原装现货，可开专票，提供账期服务
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2000
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TO2522L/-
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泽芯微售出每颗芯片只能是原装83227865
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AOD4186
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990000
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TO252/22+
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原装现货，可开增值税可追溯原厂货源
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AOD4186
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10000
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TO252/-
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AOD4186
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70000
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TO252/23+
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原装现货
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AOD4186
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3000
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TO252/N/A
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原装正品热卖，价格优势
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AOD4186
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TO252/21+
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AOD4186
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25000
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只有原装原装，支持BOM配单
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105000
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TO252/18+
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NA/2025+
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TO252/23+
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AOD4186
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TO252/-
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一手渠道 假一罚十 原包装常备现货林R Q2280193667
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AOD4186
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TO252/23+
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